[IXBT] Intel работает над существенным увеличением кэша своих процессоров

[Frike 9]

Директор Intel по разработке компонентов Майк Мэйберри сообщил о том, что его подразделением в настоящее время ведется работа над внедрением нового типа транзисторов с эффектом плавающего заряда (floating-body cell), которые в будущем должны позволить оснащать процессоры Intel кэш-памятью куда большего объёма. В настоящее время для этих целей используется SRAM (static RAM), но плотность её чипов на сегодня не слишком высока - для хранения одного бита информации требуется шесть транзисторов.

 

Источник: http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?07/42/89