Ddr4 дебютировала

ditrih · 28 лютого, 2012

Два ведущих производителя динамической памяти, Hynix Semiconductor и Samsung Electronics продемонстрировали на конференции ISSCC работающие прототипы модулей памяти DDR4. Модуль от Samsung способен показать рабочую частоту 2133 МГц при напряжении 1.2 В. Для сравнения, DDR3 требует 1.35 В или 1.5 В при эквивалентном 30-нм техпроцессе и скоростью до 1600 МГц. А в ноутбуках память DDR4 способна снизить энергопотребление на 40% по сравнению с модулями DDR3 на 1.5 В. DDR4-продукт от Hynix работает на 2400 МГц с напряжением 1.2 В и способен выдавать пропускную способность до 19.2 Гбайт/с с 64-битным вводом-выводом.

На ISSCC 2012 Samsung и Hynix показали прототипы DDR4, выполненные по нормам 30-нм и 38-нм соответственно. Массовое производство должно начаться в конце года на 20-нм технологии. При этом Elpida, Micron и Nanya пока что не выставили работающую продукцию. Ожидается, что массовое появление в продаже DDR4 состоится в середине 2014 года, хотя в 2013 году производство уже будет развернуто в серьезных объемах.

По данным JEDEC, DDR4 станет неплохим решением и для серверов в варианте с ECC и емкостью до 32 Гбайт на один модуль. При напряжении 1.2 В и частоте от 2133 МГц DDR3 остается позади. JEDEC планирует обеспечить стандарт частотой до 3.2 ГГц, хотя пока что серверам можно будет рассчитывать на частоты до 2.4 ГГц.

http://www.xard.ru/articles/ram/22070/

Змінено 28 лютого, 2012 користувачем Dietrich